《微細(xì)加工技術(shù)》雜志是統(tǒng)計(jì)源期刊,創(chuàng)辦于1983年,發(fā)行周期是雙月刊。中國電子科技集團(tuán)公司第48研究所主辦,信息產(chǎn)業(yè)部主管。主要欄目有綜述、電子束技術(shù)、離子束技術(shù)、光子束技術(shù)、薄膜技術(shù)、微機(jī)械加工技術(shù)、納米技術(shù)等。
主管單位:信息產(chǎn)業(yè)部
ISSN:1003-8213
主辦單位:中國電子科技集團(tuán)公司第48研究所
CN:43-1140/TN
審核時(shí)間:3-6個(gè)月
創(chuàng)刊時(shí)間:1983
全年訂價(jià):
發(fā)行周期:雙月刊
《微細(xì)加工技術(shù)》于1983年創(chuàng)刊,主要刊登有關(guān)光子束技術(shù)、薄膜技術(shù)、微機(jī)械加工技術(shù)、納米技術(shù)等,雜志與時(shí)俱進(jìn),開拓進(jìn)取,保持優(yōu)勢(shì),敢于爭(zhēng)先。
[1]參考文獻(xiàn)按國家標(biāo)準(zhǔn)GB7714-87《文后參考文獻(xiàn)著錄規(guī)則》,采用順序編碼制著錄。
[2]注釋。注釋用于對(duì)文內(nèi)某一特定內(nèi)容的解釋或說明,其序號(hào)分別為:①、②、③…,注釋內(nèi)容置于正文之后。
[3]作者簡(jiǎn)介放在首頁腳注,注明生年、單位、職稱和郵編。
[4]標(biāo)題。不超過3級(jí)。分別以“一、(一)1.”表示。前兩級(jí)標(biāo)題后面一般斷行,尾部不帶句號(hào)。第3級(jí)一般不斷行,加句號(hào)。
[5]來稿請(qǐng)附作者單位推薦信,注明單位對(duì)稿件的審評(píng)意見以及無一稿兩投、不涉及保密、署名無爭(zhēng)議等項(xiàng)。
立即指數(shù):表征期刊即時(shí)反應(yīng)速率的指標(biāo),即該期刊在評(píng)價(jià)當(dāng)年刊載的論文,每篇被引用的平均次數(shù)。
期刊他引率:期刊被他刊引用的次數(shù)占該刊總被 引次數(shù)的比例用以測(cè)度某期刊學(xué)術(shù)交流的廣度、專業(yè)面的寬窄以及學(xué)科的交叉程度。
影響因子:指該刊在某年被全部源刊物引證該刊前兩年發(fā)表論文的次數(shù),與該刊前兩年所發(fā)表的全部源論文數(shù)之比。
機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
中國科學(xué)院 | 192 | 光刻;電子束曝光;曝光機(jī);電子束曝光機(jī);掩模 |
上海交通大學(xué) | 129 | 微機(jī)電系統(tǒng);電系統(tǒng);機(jī)電系統(tǒng);MEMS;刻蝕 |
清華大學(xué) | 60 | 微細(xì);光刻;微細(xì)加工;離子束;聚焦離子束 |
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) | 47 | 刻蝕;離子束;離子束刻蝕;光刻;衍射 |
電子工業(yè)部 | 46 | 離子注入;注入機(jī);離子注入機(jī);半導(dǎo)體;電路 |
中國科學(xué)院微電子研究所 | 38 | 光刻;掩模;X射線光刻;電子束曝光;分辨率 |
中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 | 34 | 光柵;MEMS;刻蝕;光刻;傳感 |
山東大學(xué) | 29 | 電子束;電子束曝光;曝光機(jī);電子束光刻;電子束曝光機(jī) |
山東工業(yè)大學(xué) | 28 | 電子束曝光;曝光機(jī);電子束曝光機(jī);電子束;電路 |
華中理工大學(xué) | 26 | 刻蝕;濺射;半導(dǎo)體;等離子體;離子束 |
主管單位:山東省工業(yè)和信息化廳
主管單位:中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)
主管單位:吉林省科技廳
主管單位:黑龍江省畜牧局
主管單位:安徽出版集團(tuán)有限責(zé)任公司
主管單位:四川省科學(xué)技術(shù)廳
主管單位:中南出版?zhèn)髅郊瘓F(tuán)股份有限公司
主管單位:西安電力電子技術(shù)研究所
主管單位:中國電子科技集團(tuán)有限公司
主管單位:天津中環(huán)電子信息集團(tuán)有限公司
主管單位:農(nóng)業(yè)部
主管單位:國家統(tǒng)計(jì)局
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