《固體電子學研究與進展期刊》統計源期刊
Research & Progress of SSE Solid State Electronics《固體電子學研究與進展》雜志是統計源期刊，創辦于1981年，發行周期是雙月刊。綜合影響因子0.43，南京電子器件研究所主辦，中國電子科技集團公司主管。主要欄目有三維集成射頻微系統(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學、硅微電子學、材料與工藝、研究簡訊等。
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主管單位：中國電子科技集團公司
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ISSN：1000-3819
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主辦單位：南京電子器件研究所
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CN：32-1110/TN
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審核時間：1-3個月
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創刊時間：1981
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全年訂價： ￥ 220.00
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發行周期：雙月刊
雜志簡介
《固體電子學研究與進展》于1981年創刊，主要刊登有關器件物理、射頻器件與電路、微電子學、光電子學、半導體材料等，雜志與時俱進，開拓進取，保持優勢，敢于爭先，是一本公開發行的綜合性雙月刊。
《固體電子學研究與進展》榮獲江蘇省第六屆優秀期刊；工信部09-10年期刊編輯質量優秀獎、信息產業部2001-2002年優秀期刊。
期刊須知
[1]內容摘要應能客觀地反映論文主要內容的信息，一般不超過200字。關鍵詞一般每篇3～5個為宜。
[2]參考文獻的著錄應執行國家標準GB774-87的規定，采用順序編碼制。
[3]投稿請注明作者真實姓名、工作單位及職稱、職務、聯系方式、中文摘要、關鍵詞。
[4]投稿須基金項目論文，請給出項目的編號或批準文號，本刊將優先采用。
[5]本刊編輯部將在收到來稿后3個月內答復您是否采用。如在3個月后仍未接到本刊采用通知，請盡快與本刊編輯部聯系查詢。
數據分析
- 綜合影響因子：0.29
- 期刊他引率：0.837
- 被引半衰期：3.9423
- 平均引文率：7.9426
立即指數
期刊他引率
立即指數：表征期刊即時反應速率的指標，即該期刊在評價當年刊載的論文，每篇被引用的平均次數。
期刊他引率：期刊被他刊引用的次數占該刊總被 引次數的比例用以測度某期刊學術交流的廣度、專業面的寬窄以及學科的交叉程度。
影響因子：指該刊在某年被全部源刊物引證該刊前兩年發表論文的次數，與該刊前兩年所發表的全部源論文數之比。
影響因子
雜志發文量
主要發文機構分析
| 機構名稱 | 發文量 | 主要研究主題 |
| 南京電子器件研究所 | 925 | 晶體管；電路；放大器；單片；GAAS |
| 東南大學 | 317 | 電路；半導體；放大器；晶體管；集成電路 |
| 復旦大學 | 231 | 電路；功耗；集成電路；低功耗；半導體 |
| 中國科學院 | 148 | 晶體管；半導體；分子束；分子束外延；異質結 |
| 西安電子科技大學 | 116 | 半導體；電路；金屬氧化物半導體；晶體管；碳化硅 |
| 浙江大學 | 77 | 電路；半導體；芯片；金屬氧化物半導體；低功耗 |
| 清華大學 | 70 | 電路；集成電路；計算機；半導體；GAAS |
| 天津大學 | 69 | 隧穿；電路；晶體管；共振隧穿；負阻 |
| 南京大學 | 68 | 發光；半導體；納米；氮化鎵；GAN |
| 中國科學院微電子研究所 | 68 | 電路；低噪；低噪聲；晶體管；CMOS |
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